Wie funktioniert IGBT?
Die grundlegende Funktion des IGBT ist das möglichst schnelle und somit verlustarme Schalten elektrischer Ströme. Er ist, wie die Bezeichnung „Insulated Gate Bipolar Transistor“ besagt, ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate; das Gate ist in seiner Struktur ein MOSFET.
Was bedeutet IGBT Technologie?
Ein IGBT ist ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (Englisch: Insulated-Gate Bipolar Transistor, kurz IGBT). Ein IGBT ist in der Lage, einen höheren Wirkungsgrad und Energieeinsparungen für eine Vielzahl von Hochspannungs- und Hochstromanwendungen zu erreichen.
Was versteht man unter dem Transistoreffekt?
Wenn beim npn-Transistor die Basis genügend postiv gegenüber dem Emitter ist, kann ein Strom über die Kollektor-Emitter-Strecke fließen (Transistor-Effekt). Mithilfe eines kleinen Basisstroms kann ein großer Stromfluss zwischen Emitter und Kollektor gesteuert werden.
Was sind die Nachteile von IGBTs?
Nachteilig sind die gegenüber Leistungs-MOSFETs großen Schaltverluste, besonders beim Abschalten (Stromschweif). Die markanten Vorteile von IGBTs sind die hohen Spannungs- und Stromgrenzen: Spannungen von bis zu 6500 V und Ströme von bis zu 3600 A bei einer Leistung von bis zu 100 MW.
Wie verändert sich die IGBT-Technologie?
Die Entwicklung der IGBT-Technologie treibt den Trend zur Erhöhung des Kurzschlussstrompegels, reduziert aber die Kurzschluss-Dauer. Darüber hinaus führen Fortschritte in der Technologie zu kleineren Chipgrößen, verringerter Modulgröße, aber verringerter Wärmekapazität und noch kürzeren Vorlaufzeiten.
Wie lange ist die Toleranzzeit von IGBTs?
Im Allgemeinen kann der Motor sehr hohe Ströme in einer relativ langen Zeit absorbieren (Millisekunden bis Sekunden, abhängig von der Größe und dem Typ des Motors); IGBTs – Industriemotoren treiben jedoch den Hauptteil der Inverterstufe an – Kurzschluss Die Toleranzzeit beträgt Mikrosekunden.
Was sind die Durchlassverluste beim IGBT?
Die Durchlassverluste bei hohen Strömen sind um einiges kleiner gegenüber vergleichbaren Feldeffekttransistoren mit hohen Sperrspannungen. Beim IGBT handelt es sich wie beim FET um ein spannungsgesteuertes Bauelement. Im Gegensatz zu Leistungs- MOSFETs können Punch-Through-IGBTs (PT-IGBT)…